日本电子维修技术 内存关于X99在开机自检过程中卡顿的一种解释
今天在华硕ROG论坛看到的一份关于R5E超频的说明文档，其中有一段提到：
DRAM Voltage and POST
When overclocking DRAM, one needs to bear in mind that during POST from shutdown, or AC power
cycle, the memory controller performs driver calibration, de-skewing of signal lines and a memory
test. The memory test uses a data pattern designed to create a large current swing on the DRAM
bus. As the memory is overclocked, these operations are progressively more difficult to pass –
tougher than some stress tests in fact. In comparison, a warm reset of the system may only require
light retraining to account for temperature drift.
The caveat to tuning DRAM voltage is that while memory is stable during a warm reset at 1.30V, a
system power down or power cycle may be another matter. Often the training process from a full
system shutdown requires a higher DRAM voltage to pass. For this reason we have created an
additional setting for DRAM voltage on our boards.
试着翻译了一下：
内存电压和开机自检：
超频内存时，一个需要注意的问题是：当关机后重新自检或者冷启动时，内存控制器会执行驱动压力测试、校准信号线（？）和内存测试。内存测试使用一个数据模型对内存总线进行数据填充。随着内存超频幅度的增加，这些测试会越来越难以通过——甚至比一些压力测试还难通过。相比之下，重启系统只会进行轻度的测试以记录温度变化的幅度。
换句话说，如果一组工作在1.3v电压下的内存在热启动后非常稳定，那么它在关机后启动\冷启动时则未必稳定。通常在完全关机后再启动时内存需要更高的工作电压以便通过自检，出于这个原因我们在R5E加入了额外的内存模组电压……
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我发现X99-D在冷启动时除了DDR4自检这块比较慢以外，PCIe的debug灯也会亮若干秒才过，比较诡异。。。
PS：显卡是映众的650Ti
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经过2个月的排查，我的华擎x99m killer开机卡死的情况终于查明了：就是内存过不了自检。以前还以为光威的条子虽然超频能力不行，至少收紧下时序还是没问题的，这两天才发现通不过memtest测试。把时序降回去之后终于正常了……
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这都可以。。。我以为见到了开机画面内存自检肯定是已经过去的。。。光威这条子真是卡着频率和时序的上限来卖的。。。
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额，我的X99杜蕾斯也是觉得开机慢，840Pro256居然要12s，其它Z77Z97平台只要8-9s的，也是省钱用的光威2400的条子。
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开机慢倒是跟内存无关，是x99芯片组本身的问题 电路 电子 维修 我现在把定影部分拆出来了。想换下滚，因为卡纸。但是我发现灯管挡住了。拆不了。不会拆。论坛里的高手拆解过吗？ 评论 认真看，认真瞧。果然有收 电路 电子 维修 求创维42c08RD电路图 评论 电视的图纸很少见 评论 电视的图纸很少见 评论 创维的图纸你要说 版号，不然无能为力 评论 板号5800-p42ALM-0050 168P-P42CLM-01
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