现在这两种貌似很模糊，大神来说说
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MLC。TLC是PM961
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mlc终结此贴
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SuperM961
PoorM961
这俩里有一个是MLC，你觉得是谁呢~
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3D颗粒开的MLC模式
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SM961 肯定MLC 961宇宙速度
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SM961我想问下，是TLC模拟的 MLC呢，还是 原生MLC？
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原生 只有850pro 早期版本是模拟
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明白感谢回答，蛮久都不关注固态了。
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物理单元上其实没有MLC和TLC之分... 就那么一个单元，TLC一个单元能存3bit数据（8种组合），MLC可以存2bit（4种组合），差别就此而已... 主控只往每个单元里存2bit数据，那就是MLC，存3bit数据，那就是TLC，存1bit数据那就是SLC... 不存在谁模拟谁...
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正解，其实现在真没必要纠结啥TLC/MLC
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那是不是也不用纠结qlc了
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可是速度和寿命有差别。
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以后还有qlc olc什么的，说不定一个物理单元写128bit呢，多年后如果再看到这个帖子，脑海里可能就会有“那些年我们操碎了心最后却屁事没有”的感慨呢
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追求所谓“源生MLC”没意义，但是MLC或者叫MLC模式本身很有意义。
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MLC，或者用三星的话说，是2bit MLC
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SM961是MLC的，之前刚买过一块，容量小的建议买MLC，大容量SSD建议买TLC 缓存多 便宜，当然不差钱的随意
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其实真正要看cache多少 没cache了速度多少
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应该不是的，能否开成tlc还是要看内部的读写控制逻辑，早期的平面mlc应该是开不了tlc的。
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嗯，一定高要求的兼容低要求的...能做TLC的能按MLC、SLC的方式用，能做MLC的能按SLC的方式用。
这个三星的颗粒，你可以当作是有能力做TLC用的颗粒。
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tlc模拟mlc的，颗粒都是同样的方式生产的，可以用作mlc模式或者tlc模式
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LS很多解释得很到位，还有好几个一知半解误导LZ。权威参见10楼
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根据某位业内大神的消息，三星根本没有3d nand mlc生产线，9系列所有风传mlc的ssd实际上都是tlc屏蔽一位当作“mlc”来用的。
三星官方网站上从未声称过960 pro是mlc固态硬盘
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刚找到技术贴了，PC领域上，512G 1T是原生MLC 128是TLC模拟MLC
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那256的也是 TCL模拟MLC咯？
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怕是根本没有认真看
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看到512的是MLC，我就放心了
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好像是与950pro一样的？
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还是发现大家没有理解NAND到底是怎么存1bit 2bit 3bit数据的，而产生了误解...
不少人是不是觉得：TLC一个单元里有3个相对不耐用但晶体管数量更少的子单元分别存1bit，而MLC一个单元里有2个比较耐用但晶体管数量更更多的子单元分别存1bit？
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nand 这个东西 一旦3d堆叠之后哪里还有mlc，mlc 也好tlc也罢都是2d平面时代的东西，你堆叠了几十层之后，你能叫他啥颗粒呢。。。
这就是为啥现在的颗粒可以随便开，一个qlc 又可以当mlc 开又可以当tlc开，开多大容量，获得多少性能。开的容量越少，性能越好，掉速度来的越晚，开的容量越大速度越低，掉速度来的越早。
早期的tlc 速度不差的，当年840evo即使掉速度，500多掉到200m也是能看的，现在3d 颗粒，500g左右的写入个200g左右速度可以掉到50m，甚至不到，大牌的50m，国产的100kb。那已经不是我们之前讨论的tlc 和mlc了，新的3dtlc 也好，mlc也罢，性能品质下了不知道多少个台阶。
你可以这么理解，一层一层电子，如果挨着太近，会影响电子的稳定，寿命，还有擦写的速度。如果层数太多，影响主控对数据的整理排位。所以ssd领域主控性能那是不断的在提升。性能越好，主控发热越大。至于颗粒 层数多了 电子相互影响怎么办，其实也简单，现在做法就是slc cache。就是一个64层电子的区域，我只用最上一层电子和最下一层电子不就行了。。。那速度不知道多快，所以加速区域很小。。。但是使用的颗粒容量很多，掉速度自然来的很快。未来反正是越来越优化，但是避免不了一个物理事实，就是未来的ssd 开始速度很快，然后越来越慢，慢到最低，按照现在发展趋势，肯定是不如hdd的速度的
那用intel的高端盘甚至企业级怎么说，是开的更少来减少掉速吗，还是由先进的主控来减少性能的减弱，还是颗粒本身就有差别，在不考虑cache的情况下
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intel的 企业级最高现在还是d3700，用的还是20nm 的het颗粒，给你2.3tb左右的颗粒，然后只让你用1.48tb容量，你说呢。intel的那个d3700 官方说了，每天擦写几十次，速度稳定波动幅度在标称性能的95%-100%可以维持这个速度跑最少5年满载使用。
但是其他的后来的企业级tlc，不敢说这个话了
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950pro也是mlc把？
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通过修改主控，可以让tlc变成slc么？
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SLC cache不就是拿MLC、TLC、QLC单元当作SLC用么，理论上可以啊，但是你就是拿不到固件...
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通过改固件，可以直接把tlc改为mlc么，并且容量减半么？
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理论上可以... 不过也要看颗粒和主控
不是减半，而是减到2/3
问题还是，你没那个固件代码和固件的开发能力
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4/8=1/2，是原来一半
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...
你这是完全的认知错误...
TLC不是一个cell存2^3=8bit，而是一个cell存3bit...
MLC不是一个cell存2^2=4bit，而是一个cell存2bit...
不然QLC的SSD不得容量爆炸了？
1个cell从能存3bit到变成能存2bit，这是减半？
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多谢科普
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请看40楼 -。-
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进一步地说，
你所提到的2^2 2^3，其实是MLC和TLC每个cell要表示的状态个数
意思就是，MLC需要支持每个cell表示4种状态，TLC则是8种状态
因为
2bit的数据，一共有00 01 10 11，4种状态
3bit的数据，一共有000 001 010 011 100 101 110 111，8种状态
QLC则进一步需要支持到16种
而MLC TLC QLC的寿命，进一步变差的原因之一就在这里了：
需要表示的状态越多，写起来要求的精确度越高，保存时的要求越高
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前面的回答就理解啦
一个cell 虽然能存储的数据有 2^n 种状态，
但是 实际上还是 n bit 的数据容量。
多谢， 不太关注SSD。天真了
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恩，被立方误导了，还是看实际bit数
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qlc是3d颗粒么？怎么寿命比tlc还低呢
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其实寿命主要是2点
1. 工艺粗不粗，说白了 越粗底子越厚，越耐艹；越厚就越不容易让电子跑出来，保存数据保存的也就越好。因为NAND的每次擦除，和编程都会让这个底子磨损变薄。彻底破了，颗粒就出现“坏道”了
2. 状态表示的苛刻程度（其实有点像是容错范围），我也不知道怎么简短的用几句话来说明，那就举个栗子：
比方说，cell里数据是0还是1其实是根据cell里电荷多少来决定的，然后cell里最多放比方说100个电子。这个时候，MLC需要4个状态，那么可以规定，当1-25个电子时是00，26-50是01，51-75是10，76-100是11。你看每个状态的容错范围是25；
那TLC需要八个状态，于是容错范围变小成了12.5，QLC变成了6.25。越来越不允许出错了。
而写入时（放入电子时），主控是没法完全精确控制放入个数的；保存时，也会有电子跑出来；甚至读取时也会有干扰。
当然随着主控容错算法的进步，颗粒不变的情况下，允许的错也在变大，也就变相的延长了颗粒寿命；当然那个时候，因为主控一直在重试读取，读取会变得很慢，甚至出现IOPS 0的情况
另外，主控在写入时，如果遇到异常，也会有写入参数的微调动作，但这个微调其实也是在重试了，于是，使用感受上，也一样感觉SSD变慢了
回到你的问题
QLC，目前市面上的应该都是3d的；
至于寿命为何更短，上面应该多少解答了...
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sm961，是正统mlc产品，很硬核的 电路 电子 维修 求创维42c08RD电路图 评论 电视的图纸很少见 评论 电视的图纸很少见 评论 创维的图纸你要说 版号，不然无能为力 评论 板号5800-p42ALM-0050 168P-P42CLM-01 电路 电子 维修 我现在把定影部分拆出来了。想换下滚，因为卡纸。但是我发现灯管挡住了。拆不了。不会拆。论坛里的高手拆解过吗？ 评论 认真看，认真瞧。果然有收
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