华人论坛 SSD说个困扰多年的SSD问题,已解决


本人电器小白,昨天下午电脑突然断电,重启后刚进入XP又再次断电,再重启一次还是进入XP后就再次断电,然后再按电源开机没反应,硬盘灯长亮。 我断开电源2秒后再接上电源,再次 故障:背光不亮,控制电压EN 低于2v 解决如下:背光芯片0z9938 EN电压1.63v,上家更改电路,时间长了除了问题,解决方法是更换图中的电阻约5K,en电压上升到2.3v,问题解决 评论 修背光



纯属长期的误解
SSD的NAND芯片,写一次就是毫秒级别,半导体无机械部件,写一次就是毫秒级,无任何复杂,物理特性就是如此


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多蛋哥你是不是喝多了,即使论坛有厂方Eng出没也不会以在公众场合发帖这样的形式讲清这个问题吧...

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这是基本的问题。没有任何商业秘密,甚至没有任何敏感性。



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那基本问题我觉得你应该了解啊

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愿不愿意讲呢是个问题

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就是这么基本的问题都不了解,所以困扰啊。

SSD落盘写,怎么做快,这是天大的秘密,他们肯定不会具体说。但即使这样,说个方向他们应该不认为是秘密,行业里这个大家都有点方向。

但现在,咱讨论的是,家用的是怎么把这个性能弄成这么弱的,弱到匪夷所思。这就完全没有秘密了。很多厂甚至不做家用的,他们说家用的怎么做出这么慢的速度,肯定无顾虑。

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无所谓啊,不愿意讲就不讲

不要凡事太紧张、激动,就是论坛发帖随便聊聊的贴。



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我不懂,我就路过


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所以企业级的卖得贵

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这里不是谈企业级为什么牛,为什么贵

是说,家用的这个速度,慢的离谱了。是怎么做到能如此的慢的。

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mark 关注,看有无大神解答

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8Kbytes的数据,家用SSD这样一次落盘写,在Samsung 850 EVO上是3ms,很想直到,家用盘是怎么做到那么慢的。

匪夷所思啊

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所以我也好奇,估计还是主控上的文章,但是实现方案 不是技术大拿真不明白,只能学习避雷

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路过你都不盖个章吗?
我都不习惯好贴没有狗头章了

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SSD只选intel的,有用过三星961是机子自带的,平常使用感受没intel s3500来得好,也是延迟问题,记忆中intel 发布3500 3700 时就有提到延迟问题,至于什么原理导致延迟过高就不知道了,可以去PCEVA问问

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原来狗头是熊总,我一直以为他的头像是浣熊

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啦啦啦,又是延迟问题,大家怎么突然都来研究延迟了?

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因为没有任何办法,通过硬件堆叠来做强这个延迟

吞吐或者容量不够,可以4个8个16个的堆,延迟开箱一看4ms,就再没有办法做出1ms了

天下武功,唯快不破

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ASS快餐测试下,企业级SSD也没这么大优势吧

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别逗,谢谢

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毕竟你说的是落盘
slc cache部分算么
SF2581好像是没有外置ram的
应该不存在写到ram就算落盘完成
那么SF2581的企业盘落盘延迟多少
如果SF2581一样延迟很渣,是不是说明是ram问题




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不是,你用什么环境的,数据库?仅了解数据库优化这方面SSD貌似有专门的io调度操作,不太清楚是系统层还是硬件层的

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因为这个延迟不是nand的。
“我要来喽”
“好的”
"你那那里空着?"
“1223-3004”
“给我一个吧’
”那就1223好了‘
’门打开了么?‘
’确认开着‘
’我推门进来了哟‘
’好的‘


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还请详细指教

这个反复是在控制器和OS之间,还是控制器和NAND之间?

能否指点一个具体的公开的协议、标准之类的文档,我去拜读一下,谢谢!

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不妨看看这个,至于主控协议这些底层文档大多都是英文资料,公开的google通常很容易找到,以前了解数据库优化收藏过一个站点,还真给我找回来了。不过这论坛估计找不到工程师毕竟不是专业性很强的地方linuxperformance.top/index.php/archives/85/复制代码

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说得真的通俗易懂

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基本上可以确认,就是主控和缓存决定速度咯。

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基本概念弄错了。Nand的一个page读在几十个微秒,一般50到75,但是一个nand page的写操作在一个毫秒到3个毫秒之间,所以如果不用cache write毫秒级很正常。企业级write到Cache就会返回command completion success, 所以快很多

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谢谢,你的回复是最靠谱的

我已经找了一个Samsung的NAND看spec,果然就是写入慢在这个物理上的极限。
坦率的说,很吃惊!


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除了几个大厂,都没有相关的核心技术
都是复制别人或者拿公版或者直接贴牌, 用料只图便宜
https://trs.jpl.nasa.gov/bitstre ... 0-19.pdf?sequence=1
感觉这篇讲的t_PROG是楼主所指的写延迟?
还有前面所说的各阶段延迟,感觉这篇文章也许靠谱?
https://thessdguy.com/why-3d-xpoint-ssds-will-be-slow/
但因为楼主原帖编辑掉了,我没有很理解毫秒级,因为就三星给的数据看起来写也是微秒级:
https://www.anandtech.com/show/1 ... et-znand-ssd-review
我目前的理解是测试对象不同,三星最新的Z-NAND虽逊于3D-XPoint但也达到了微秒级,而10年nasa测试的NAND过于老旧所以是毫秒级。Anandtech第二页给出了TLC与Z-NAND的t_PROG,感觉普通TLC六七百的延迟的确可以谈得上是毫秒级了
https://www.anandtech.com/show/1 ... -znand-ssd-review/2
不过例如960 Pro给出的4K QD1 Write IOPS是50000,换算下来是20微秒,这个微秒是啥就不懂了 延迟被DRAM缓冲掉了?

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