华人论坛 SSD三星的SSD依然在用40nm工艺制造的闪存


本人电器小白,昨天下午电脑突然断电,重启后刚进入XP又再次断电,再重启一次还是进入XP后就再次断电,然后再按电源开机没反应,硬盘灯长亮。 我断开电源2秒后再接上电源,再次 故障:背光不亮,控制电压EN 低于2v 解决如下:背光芯片0z9938 EN电压1.63v,上家更改电路,时间长了除了问题,解决方法是更换图中的电阻约5K,en电压上升到2.3v,问题解决 评论 修背光


三星的SSD依然在用40nm工艺制造的闪存

6789.PNG (49.57 KB, 下载次数: 1)

2017-8-23 11:15 上传




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850PRO是几年前了啊 950PRO 960PRO?

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都是1X nm工艺了

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企业级的还在用旧制程 制程越旧寿命越长

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现在是垂直发展,够用了。

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那是3D Nand的。

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这个可不是制程越先进越好

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既然你能找到这张图,这篇文章我记得就解释过了。。。

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40nm怎么了??

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我倒是希望他用3um的给我造

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25nm是性能和容量的最甜点了, 20nm其次, 再老的制程容量上不去, 再新的制程性能/耐久度下滑严重

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MLC才是关键,不是多少制程。

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制程越先进,耐久度越低,所以大家都去发展tlc去了。

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三桑上14nm不是碉堡了?现在40nm都评测刷榜

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闪存可不是像CPU一样 制程越小越好。。。 40nm的VNAND 可以叠好多层 根本不用怕密度问题 而且保证寿命

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我当然知道了
廉价货喜欢用特使不15nm

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NAND竖着放的,不怕容量上不去,制程越老越长寿

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估计也就SLC mlc这些企业级再用

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好像三棒的堆叠式闪存的工艺都很“落后”

还有,楼楼的这个86Gbit就是tlc模拟mlc用的。

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是哪里看到的呢?我网上找了一下没找到960闪存工艺的资料。不过我觉得不可能一代工艺就从40nm一下子到1Xnm吧。

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不过40nm工艺闪存的850系列已经有4TB的版本了啊,应该是和3D nand有关吧

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严重同意,闪存可不是看制程的,是看耐久度的

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CPU制程越小加越多核心 加越多硅脂还是很热反而不好 据说 1950x钎焊也是很热

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1950x不是风冷60多度吗?哈哈
农企怎么可能赢到牙膏厂,你太看得起农企了
https://www.chiphell.com/forum.p ... peid%26typeid%3D663

牙膏厂真正含义原来是钎焊进步到涂牙膏,估计库存牙膏还有待消化,未来几代继续涂牙膏


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不过最近被TechInsights断层扫描了的intel 3dxpoint是20nm的cmos技术。注意这是2015年的技术,而且intel的20nm估计直逼三爽的14nm。

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3D XPoint最早爆出来时就已经知道是20nm 128Gbit (16GB/die), 之前在PCEVA还发过帖子http://bbs.pceva.com.cn/thread-121901-1-1.html

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这我知道,这是官方公布的,最近才接明其实现的原理。

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不是容量上不去,是耐久跟容量不成正比了 所以才搞3d堆叠 但是堆叠的话良率低 加上手机闪存需求爆发所以你懂的

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不堆叠容量就是上不去啊, 3D的当然就不在讨论范围内了

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最终占领E7,实现全线牙膏

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