华人论坛 SSDFlash Memory Summit闪存峰会16消息汇总(3D XPoint, 希


故障:背光不亮,控制电压EN 低于2v 解决如下:背光芯片0z9938 EN电压1.63v,上家更改电路,时间长了除了问题,解决方法是更换图中的电阻约5K,en电压上升到2.3v,问题解决 评论 修背光 本人电器小白,昨天下午电脑突然断电,重启后刚进入XP又再次断电,再重启一次还是进入XP后就再次断电,然后再按电源开机没反应,硬盘灯长亮。 我断开电源2秒后再接上电源,再次



一年一度的Flash Memory Summit(FMS)正在硅谷Santa Clara如火如荼地进行, 本帖汇总持续更新相关新闻.

1. 下一代非易失性存储器3D XPoint

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2016-8-10 06:26 上传



我们已经知道Intel将有可能在今年年底跟随Kaby Lake桌面平台推出以"Optane"品牌命名的3D XPoint SSD(发货时间可能要到2017年Q1), 一同开发的Micron镁光自然也不想错过这块大蛋糕, 今日宣布将以"QuantX"品牌独自入市, 同时表示与Intel的市场策略将会完全不同(可能会主打内存领域, 比如NVDIMM). 镁光在初期只会服务于数据中心领域, 第一代QuantX SSD将会在2017年Q2上市, 桌面和移动领域产品在短期内不会出现.

以下是今天峰会上Keynote里展示的3D XPoint实际性能, 最下面比较的对象(1600GB NAND)基本确定是自家9100 Pro 1.6TB.

2.5'' PCIe x4, 4KiB随机70/30读写混合, QD5已有900K IOPS(3,600MB/s), 差不多x4极限


HHHL PCIe x8, 4KiB随机70/30读写混合, QD1便有500K IOPS(2,000MB/s), QD10达到了疯狂的1.8M IOPS(7,200MB/s), 差不多x8极限


平均延迟, 写入和读取分别降低至1/10, 相比DIMM来说SSD的极限延迟有很多约束限制(PCIe, NVMe等), 具体分析可见此文 https://www.chiphell.com/thread-1619643-1-1.html


最新的口号, IOPS比NAND高10倍, 延迟只有1/10, 单CPU可占用内存空间为DRAM的4倍.


http://www.pcper.com/news/Storage/FMS-2016-Micron-Keynote-Teases-XPoint-QuantX-Real-World-Performance
http://www.computerworld.com/article/3104675/data-storage/micron-reveals-3d-xpoint-memory-quantx.html


2. 希捷发布两款重量级胶水粘合物

4块M.2 SSD内部RAID 0起来的Nytro XP7200 3.8TB/7.7TB PCIe 3.0 x 16, 持续读取10GB/s, 写入就有点...

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2016-8-10 07:25 上传


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2016-8-10 07:11 上传


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2016-8-10 07:11 上传



采用了镁光3D TLC NAND颗粒的希捷60TB SAS SSD技术样品, 超过1000个Die却只有一个主控, 所以用了ONFi Bridge Chips(桥接芯片)来Multiplex(多路复用)NAND控制器的通道数, 还有它是个3.5''的胖子.

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2016-8-10 07:25 上传


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2016-8-10 07:11 上传



http://www.anandtech.com/show/10555/seagate-introduces-10gbs-pcie-ssd-and-60tb-sas-ssd
http://www.storagereview.com/seagate_announces_60tb_sas_ssd


3. Netlist Inc.发布闪存-DRAM混合体HybriDIMM

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2016-8-10 07:29 上传



基于服务器标准的DDR4 LRDIMM(Reg内存), 第一代适用于Xeon Broadwell E5/E7, 配备单条内存256/512GB NAND + 8/16GB DRAM/1866MHz + 3DPC. 第二代将会适用于Xeon Skylake E5/E7, 配备单条1TB NAND + 32GB DRAM/2400Mhz + 2DPC, DPC指每通道DIMM条数, 都支持Block Storage Mode(SAN中的块存储模式).

http://www.theregister.co.uk/2016/08/08/samsung_and_netlist_hybridimm/
http://www.storagereview.com/netlist_unveils_its_new_scm_product_hybridimm


持续更新...

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....镁光哪个1000个碟...主控性能够用吗....

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亮点不少啊,期待镁光的那个60tb的tlc

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各种高大上的纸上谈兵。

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Update 1: 三星在下午的Keynote上正式发布64层第四代V-NAND, 每Die容量提升至512Gbits(64GB), 每Die最大I/O吞吐量也提高到800Mbps(100MB/s).



三星32TB SAS SSD, Model: MZ-ILT3T00, 16层堆栈所以每个Package=16*64GB=1TB, 一共32个Packages容纳在2.5''内.

三星同时发布了BGA表面封装技术的1TB NVMe SSD, 整个SSD(包含V-NAND, DRAM和主控)略大于一枚硬币, 重量<1g, 持续读取和写入分别达到1.5GB/s和900MB/s, 采用了自己开发的新封装技术FO-PLP(Fan-Out Panel Level Packaging).


最后, 三星发布了低延迟Z-SSD, 用了特殊的电路设计和主控来最大化性能, 与自家企业级PM963 NVMe相比延迟上提高4倍, 持续读取上快了1.6倍.


以上3款产品预计将于2017上市.

http://www.pcper.com/news/Storage/FMS-2016-Samsung-Announce-64-Layer-4th-Gen-V-NAND
http://www.storagereview.com/samsung_introduces_64layer_vnand_a_32tb_sas_ssd

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Update 2: 更多希捷60TB SAS SSD技术样品的资料

真的好胖...


三块PCB, 双面闪存Package, 一共80个Packages.


每通道64个Die, ONFi Fan-Out ASIC(扇出专用集成电路)用于闪存Die和控制器之间的数据切换


http://www.pcper.com/news/Storage/FMS-2016-Seagate-Demos-Facebook-Lightning-60TB-35-SSD

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那个hybridimm有点意思。。。期待

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Update 3: Tom's Hardware的Paul Alcorn提供了更多关于镁光3D XPoint品牌QuanX SSD的详细信息

第一块3D XPoint开发板照片, 两块子板4个芯片, PCIe 3.0 x 8 半高卡, 128 GB, 假如确实如图中显示只有4个Packages那么单个就是32GB, 目前的3D XPoint为20nm双层128Gbit(16GB)每Die, 意味着每个Package由两个Die堆叠而成. 风扇旁边有5颗镁光DRAM, 意味着镁光可能以某种形式应用了Flash Translation Layer(闪存转换层).


能非常清楚地看到两排电容器, 由于3D XPoint是一种持久性存储介质, 理论上不需要电容器, 所以更有可能是用于断电后刷新DRAM中的数据. 尾部接口是用在超高速Ethernet(以太网), Fibre Channel(光纤通道)和InfiniBand上的QFSP+, 这里用于下一代网络存储协议NVMe Over Fabrics, 板子最上面还有一个以太网接口和一个SAS接口.


其他透露出来的有关3D XPoint的重要信息
1. NAND制造商通常将Die分成若干个Plane来提高性能(类似于并行计算), 通常情况下是两个Plane, 镁光的3D NAND则分割成4个Plane. 3D XPoint并非使用了传统意义上的Plane, 而是将每个Die分割成64个Region, 结构上等同于NAND中的64个Plane, 也就是说一个3D XPoint Die能够接受的并行计算量等同于16个镁光3D NAND Die.

2. 我们还记得Intel和镁光刚发布这项技术声称速度将达到NAND的1000倍, 那为什么现在只有10倍? 1000倍指的是Cell level(存储单元)的速度, 最后做成SSD之后有太多的限制因素, 未来3D XPoint内存NVDIMM会得到更大幅度的提升, 相关分析可以参考此文.
https://www.chiphell.com/thread-1619643-1-1.html

3. 耐久度上镁光表示其首款QuantX SSD将会达到5年25DWPD(每日整盘写入25次), 相比较企业级MLC NAND和TLC NAND通常可以提供10DWPD和1-5DWPD. 这跟发布时声称的1000倍耐久度差很多, 镁光表示目前的耐久度是为SSD型做的调整, 今后的内存型NVDIMM的耐久度将会高出很多, 厂商如何做耐久度调整可见下面链接的原文.

4. 价格上镁光表示3D XPoint SSD会达到NAND SSD的4-5倍.

http://www.tomshardware.com/news/intel-micron-3d-xpoint-memory,32434.html

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64layer的发布都赶在一起了,东芝前几天也发了

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希捷收购的sf主控是不是完蛋了?sf3700流产了?

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Update 4: SMART Modular Technologies发布了目前单条最高容量的32GB DDR4 NVDIMM-N(非易失性内存模块-N). 目前的NVDIMM其实并非真正的"非易失", 而是外接电源将DRAM中的数据转储到额外的非易失性存储设备当中, 未来3D XPoint的应用将会让NVDIMM变成名副其实的NVRAM(非易失性内存).

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2016-8-12 12:01 上传


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2016-8-12 12:01 上传

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2016-8-12 12:21 上传



NVDIMM主要分为三种, NVDIMM-N, NVDIMM-F和NVDIMM-P, 根据内存映射媒介(闪存, DRAM)和寻址方式(字节, 块)的不同来区分.

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2016-8-12 12:04 上传



http://www.thessdreview.com/flash-memory-summit-2016/smart-modular-announces-industrys-first-32gb-ddr4-nvdimm-n-flash-memory-summit-2016-update/


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Update 5: 西数延续其近几年的"光荣"传统, 将在未来高速SSD产品上使用收购来的SanDisk所研发的Resistive RAM(可变电阻式RAM)技术. 作为Storage Class Memory(存储级内存)的一种, ReRAM跟3D XPoint, CBRAM(导电桥接RAM), PCM(相变化内存), MRAM(磁阻式RAM), FeRAM(铁电RAM)等等一样都属于下一代非易失性存储介质, 性能和价格介于NAND闪存和DRAM之间, 未来主要应用于NVDIMM以及Universal Memory(通用型内存), 预计实际产品会在1-2年内上市.





http://www.anandtech.com/show/10562/western-digital-to-use-3d-reram-as-storage-class-memory-for-specialpurpose-ssds

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看了这个帖子,感觉SSD要大跃进了,这个时间点上装机,选择有点尴尬呀。

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是的, 非易失性存储介质开发N年了, 接下来几年终于要加速商用化了, 开始百花齐放的竞争. 不过家用的话无需顾忌这么多, 2-3年的市场延后是必然的, 价格也不是一般人可以接受的.

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不指望马上就能用上3D XPoint,希望该技术上市后能对传统SDD产生降价压力就好。偶准备在双十一期间装个机,优先考虑512G的SSD。

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